10*10.5mm2方形氮化镓衬底晶片

苏州恒迈瑞材料科技作为氮化镓衬底晶片（GaN氮化镓晶片）的专业生产厂家，可提供方形尺寸为10*10.5mm²的氮化镓自支撑衬底片，导电类型主要分为N型非掺杂，N型硅掺杂和半绝缘型铁掺杂。GaN自支撑衬底TTV≤10um，包装方式为单个晶圆盒或Cassette盒。作为第三代半导体材料的GaN氮化镓优势凸显，由于禁带宽度大、导热率高，GaN材料制作的器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；其较大的禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利于提升器件整体的能效；且电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。

氮化镓自支撑衬底：
方形10*10.5²mm
氮化镓自支撑衬底厚度：350um
晶向：C-plane(0001) M Axis 0.35°±0.15°
掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂/半绝缘型铁掺杂
TTV: ≤10um  BOW:-10um≤ Bow ≤ 10um
包装：晶圆盒或cassette盒
Ga面粗糙度： ＜0.2nm polished 
＜0.3nm Epi ready polished

方形自支撑氮化镓衬底晶片规格


GaN氮化镓基新型电子器件：氮化镓材料具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。随着 MBE技术在氮化镓材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v•s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数，是制作微波器件的优先材料；GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。