AlGaN/GaN碳化硅基氮化镓HEMT外延片

作为GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓外延片生产厂家，HMT生长供应AlGaN/GaN On SiC HEMT外延片应用于射频器件功率器件等. 我司可供应主流4英寸和6英寸u-GaN Cap/Fe Doped GaN Buffer碳化硅基GaN外延晶片，GaN功率组件具备能够降低导通和切换时的能量损耗之特性，实现了高效率的能源传输与利用。

目前GaN氮化镓应用主要以外延为主，外延片可分为同质外延片与异质外延片。在GaN单晶衬底上生长的GaN 为同质外延片，异质外延片是其他衬底材料上生长氮化镓，GaN-on-Si,GaN-on-SiC及GaN-on-Sapphire我司HMT均可供应。

第一代，第二代与第三代半导体对比


氮化镓是一种稳定的无机化合物，也是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，主要是由人工合成的。GaN具有高的电离度，禁带宽度达到3.4eV，其相比第二代半导体化合物拥有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率和电子饱和速率及更优的抗辐照能力,可以用在高功率、高速的光电元件中,是生产微电子器件、光电子器件的新型材料。

GaN-on-SiC结构