4 inch硅基AlGaN/GaN外延片Power HEMT

HMT公司作为硅基氮化镓氮化镓外延片生产厂家，提供定制AlGaN/GaN on Si外延片,p-GaN/GaN  On Si HEMT氮化镓外延片，产品尺寸涵盖4英寸至8英寸，结构类型分为D-mode耗尽型硅基GaN外延片，E-mode增强型硅基氮化镓外延片及RF结构GaN外延晶片。氮化镓材料是研制微电子器件、光电子器件的新一代半导体材料。具有宽禁带、强原子键、高热导率、化学稳定性好和强抗辐照等性质，在光电子、功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

氮化镓GaN的应用
氮化镓是能同时实现高频、高效、大功率代表性材料，广泛应用在“新基建”中的 5G 基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁等主要领域， 助力实现光伏、风电(电能生产)，直流特高压输电(电能传输)，新能源汽车、工业电源、机车牵引、消费电源(电能使用)等领域的电能高效转换，推动能源绿色低碳发展，有利于早日实现“碳达峰，碳中和”的目标。GaN器件被广泛用于无线设备中，频率高达100 GHz的功率放大器，主要用于军用雷达、卫星发射器和通用射频放大。由于GaN器件用于高压(高达1,000 V)、高温和快速开关，它们也被纳入各种开关电源应用，如DC-DC转换器、逆变器和电池充电器。

氮化镓外延片产品图片


MOCVD（金属有机物气相沉积法），MBE（分子束外延法），HVPE （氢化物气相外延法）等是比较传统的GaN 薄膜外延片制备方法。MOCVD工艺以三甲基镓作为镓源，氨气作为氮源，以蓝宝石(Al2O3)作为衬底，并用氢气和氮气的混合气体作为载气，将反应物载入反应腔内，加热到一定温度下使其发生反应，在衬底表面上吸附、成核、生长，最终形成一层GaN单晶薄膜。采用 MOCVD法制备的产量大，生长周期短，适合用于大批量生产。